RSS
29 Мая 2018
Компании объявляют о готовности первого в отрасли чипа памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку и о разработке 96-слойной структуры 3D NAND
- Intel и Micron представляют первый в истории полупроводниковой индустрии коммерчески доступный кристалл емкостью 1 Тбит с четырьмя битами на ячейку (QLC)
- Компания завершила подготовку к серийному производству микросхем 3D NAND памяти с четырьмя битами на ячейку по 64-слойному техпроцессу 3D NAND второго поколения. Технология с четырьмя битами на ячейку (QLC) обеспечивает на 33% более высокую плотность записи в сравнении с технологией с тремя битами на ячейку (TLC)
- В третьем поколении 3D NAND используется 96 слоев транзисторов, что позволяет компаниям сохранить лидерство с точки зрения соотношения цены/плотности записи
- Третье поколение чипов памяти позволяет добиться самой высокой в отрасли плотности записи в гигабитах на квадратный миллиметр
Бойсе, Айдахо, и Санта Клара, Калифорния, 21 мая 2018 года – Компания Micron Technology Inc. и корпорация Intel сегодня объявили о запуске в производство и начале поставок первых в отрасли микросхем памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку. Построенная на базе уже зарекомендовавшей себя 64-слойной структуры, новая технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку обеспечивает плотность записи в 1 Тбит на кристалл, что является самой высокой на сегодняшней день плотностью записи для флеш-памяти.
Кроме того, компании сообщили о новых успехах в области создания 96-слойной структуры 3D NAND памяти третьего поколения, в которой число слоев увеличено на 50% по сравнению с предыдущим поколением. Эти достижения в структуре ячеек позволяют компаниям сохранить лидирующие позиции в производстве микросхем с самыми высокими показателями плотности записи.
Оба технологических достижения в области NAND памяти – 64-слойная QLC и 96-слойная TLC память – используют технологию CuA (CMOS under array), что позволяет сократить размер кристалла и обеспечить улучшенную производительность при сравнении с другими конкурирующими технологиями. За счет использования четырех плоскостей по сравнению с двумя у конкурентов, новая флеш-память NAND производства Intel и Micron позволяет осуществлять запись и чтение одновременно на большем числе ячеек, что приводит к увеличению скорости записи и повышению пропускной способности на уровне всей системы.
Новая 64-слойная технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку позволяет добиться более высокой плотности хранения данных в меньшем объеме, обеспечивая значительную экономию для рабочих нагрузок в облачных окружениях с большим числом операций чтения. Она также отлично подходит для потребительских и клиентских вычислений, обеспечивая оптимальные с точки зрения затрат решения для хранения данных.
«С выпуском 64-слойной NAND памяти с 4 битами на ячейку, мы смогли добиться увеличения плотности записи на 33% по сравнению с технологией TLC, что позволило нам выпустить первый в истории полупроводниковой индустрии коммерчески доступный кристалл емкостью 1 терабит, – говорит исполнительный вице-президент Micron по развитию технологий Скотт ДеБоер. – Мы продолжаем инновации в сфере технологий флеш-памяти, представив 96-слойную структуру, которая позволяет уместить еще больше данных в меньшем пространстве, открывая возможности для расширения рабочих нагрузок и создания новых приложений».
«Запуск в коммерческое производство микросхем памяти емкостью 1 Тбит с четырьмя битами на ячейку является важной вехой в истории NVM памяти. Все это стало возможным благодаря многочисленным инновациям в технологиях и дизайне, которые еще больше расширили потенциал 3D NAND памяти с плавающим затвором, – говорит Рагупати Гиридхар, вице-президент Intel по разработкам технологий энергонезависимой памяти. – Переход на технологии с записью четырех бит на ячейку открывает новые впечатляющие возможности для повышения плотности и снижения стоимости устройств хранения данных в центрах обработки данных и в клиентских системах».
Подробнее о Micron Technology Inc.
Micron Technology является мировым лидером по разработке инновационных решений в области памяти. Компании принадлежат глобальные бренды Micron, Crucial® и Ballistix®; предлагая мощное портфолио высокопроизводительных технологий памяти, в том числе DRAM, NAND, NOR Flash и 3D XPoint™, компания в корне меняет характер работы с информацией. Имея за своими плечами почти сорок лет технологического лидерства, Micron производит память, которая используется для самых инновационных вычислений, в потребительской технике, в корпоративных системах хранения данных, в центрах обработки данных, в мобильных устройствах, встраиваемых решениях и в автомобильной электронике. Обыкновенные акции Micron торгуются на бирже Nasdaq под тикером MU.
Смотреть продукцию Intel на нашем сайте
- Компания завершила подготовку к серийному производству микросхем 3D NAND памяти с четырьмя битами на ячейку по 64-слойному техпроцессу 3D NAND второго поколения. Технология с четырьмя битами на ячейку (QLC) обеспечивает на 33% более высокую плотность записи в сравнении с технологией с тремя битами на ячейку (TLC)
- В третьем поколении 3D NAND используется 96 слоев транзисторов, что позволяет компаниям сохранить лидерство с точки зрения соотношения цены/плотности записи
- Третье поколение чипов памяти позволяет добиться самой высокой в отрасли плотности записи в гигабитах на квадратный миллиметр
Бойсе, Айдахо, и Санта Клара, Калифорния, 21 мая 2018 года – Компания Micron Technology Inc. и корпорация Intel сегодня объявили о запуске в производство и начале поставок первых в отрасли микросхем памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку. Построенная на базе уже зарекомендовавшей себя 64-слойной структуры, новая технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку обеспечивает плотность записи в 1 Тбит на кристалл, что является самой высокой на сегодняшней день плотностью записи для флеш-памяти.
Кроме того, компании сообщили о новых успехах в области создания 96-слойной структуры 3D NAND памяти третьего поколения, в которой число слоев увеличено на 50% по сравнению с предыдущим поколением. Эти достижения в структуре ячеек позволяют компаниям сохранить лидирующие позиции в производстве микросхем с самыми высокими показателями плотности записи.
Оба технологических достижения в области NAND памяти – 64-слойная QLC и 96-слойная TLC память – используют технологию CuA (CMOS under array), что позволяет сократить размер кристалла и обеспечить улучшенную производительность при сравнении с другими конкурирующими технологиями. За счет использования четырех плоскостей по сравнению с двумя у конкурентов, новая флеш-память NAND производства Intel и Micron позволяет осуществлять запись и чтение одновременно на большем числе ячеек, что приводит к увеличению скорости записи и повышению пропускной способности на уровне всей системы.
Новая 64-слойная технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку позволяет добиться более высокой плотности хранения данных в меньшем объеме, обеспечивая значительную экономию для рабочих нагрузок в облачных окружениях с большим числом операций чтения. Она также отлично подходит для потребительских и клиентских вычислений, обеспечивая оптимальные с точки зрения затрат решения для хранения данных.
«С выпуском 64-слойной NAND памяти с 4 битами на ячейку, мы смогли добиться увеличения плотности записи на 33% по сравнению с технологией TLC, что позволило нам выпустить первый в истории полупроводниковой индустрии коммерчески доступный кристалл емкостью 1 терабит, – говорит исполнительный вице-президент Micron по развитию технологий Скотт ДеБоер. – Мы продолжаем инновации в сфере технологий флеш-памяти, представив 96-слойную структуру, которая позволяет уместить еще больше данных в меньшем пространстве, открывая возможности для расширения рабочих нагрузок и создания новых приложений».
«Запуск в коммерческое производство микросхем памяти емкостью 1 Тбит с четырьмя битами на ячейку является важной вехой в истории NVM памяти. Все это стало возможным благодаря многочисленным инновациям в технологиях и дизайне, которые еще больше расширили потенциал 3D NAND памяти с плавающим затвором, – говорит Рагупати Гиридхар, вице-президент Intel по разработкам технологий энергонезависимой памяти. – Переход на технологии с записью четырех бит на ячейку открывает новые впечатляющие возможности для повышения плотности и снижения стоимости устройств хранения данных в центрах обработки данных и в клиентских системах».
Подробнее о Micron Technology Inc.
Micron Technology является мировым лидером по разработке инновационных решений в области памяти. Компании принадлежат глобальные бренды Micron, Crucial® и Ballistix®; предлагая мощное портфолио высокопроизводительных технологий памяти, в том числе DRAM, NAND, NOR Flash и 3D XPoint™, компания в корне меняет характер работы с информацией. Имея за своими плечами почти сорок лет технологического лидерства, Micron производит память, которая используется для самых инновационных вычислений, в потребительской технике, в корпоративных системах хранения данных, в центрах обработки данных, в мобильных устройствах, встраиваемых решениях и в автомобильной электронике. Обыкновенные акции Micron торгуются на бирже Nasdaq под тикером MU.
Смотреть продукцию Intel на нашем сайте